晶體三管正偏二次擊穿、熱阻抗測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品簡(jiǎn)介： 晶體三管正偏二次擊穿熱阻抗測(cè)試儀可測(cè)試**型號(hào)中、大功率晶體管的二次擊穿電壓和熱阻抗參數(shù)。系統(tǒng)軟件基于微軟視窗系統(tǒng)的操作環(huán)境，使您輕松掌握測(cè)試。 本系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制，為用戶提供友好直觀的操作界面，測(cè)試數(shù)據(jù)處理方便，自動(dòng)繪制PD（熱阻功率）曲線和二次擊穿曲線，并求兩曲線的交點(diǎn)，在該交點(diǎn)及其附近靠內(nèi)一點(diǎn)測(cè)試器件的熱阻值。 晶體三管正偏二次擊穿、熱阻抗測(cè)試系統(tǒng)功能特點(diǎn)： 1.正偏二次擊穿電壓測(cè)試可測(cè)試NPN型晶體三管，熱阻抗測(cè)試可測(cè)試**型號(hào)中、大功率晶體管測(cè)試方法靈活、開放； 2.靈活的M值測(cè)試，可控制測(cè)試過程中不測(cè)試M值而自行輸入M值； 3.可定時(shí)測(cè)試，穩(wěn)態(tài)熱阻測(cè)試也可定特定時(shí)間內(nèi)溫差測(cè)試； 4.加熱電源可遙控也可手動(dòng)； 5.采用**微機(jī)控制，基于Windows系統(tǒng)的控制軟件，具有友好的人機(jī)交互界面，窗口填表式編程，測(cè)試結(jié)果以表格及圖形曲線方式顯示，使您輕松掌握測(cè)試。 晶體三管正偏二次擊穿、熱阻抗測(cè)試系統(tǒng)規(guī)格參數(shù)： 加熱電壓源：0-300V 負(fù)載能力：3.5A，可根據(jù)用戶需要進(jìn)行功率擴(kuò)展，到10A 加熱電流源IH： 電流量程 分辨力 精度 -250mA-250mA 122uA ±(610uA+2%set) ±(250mA~2.5)A 1.22mA ±(6.1mA+2%set) ±(2.5A~3.5)A 12.2mA ±(61mA+2%set) 測(cè)量電流源IM 電流量程：-250mA~250mA 分 辨 力：122uA 精 度：±(244uA+0.5%set) VBE電壓表： 電壓量程 分辨力 精度 -312.5~312.5mV 152.5uV ±(1.22mV+1%Rdg) ±(312.5~625)mV 305uV ±(1.22mV+0.8%Rdg) ±(0.625~1.25)V 0.61mV ±(2.44mV+0.3%Rdg) ±(1.25~2.5)V 1.22mV ±(2.44mV+0.25%Rdg) VCE電壓表 電壓量程 分辨力 精度 -8.125~8.125V 3.97 mV ±(7.94mV+0.25%Rdg) ±(8.125~16.25)V 7.94mV ±(15.88mV+0.25%Rdg) ±(16.25~32.5) V 15.88mV ±(31.76mV+0.25%Rdg) ±(32.5~65) V 31.76mV ±(63.52mV+0.25%Rdg) ±(65~130) V 63.52mV ±(127.04mV+0.25%Rdg) ±(260~300) V 127.04mV ±(254.08mV+0.25%Rdg) 加熱脈沖寬度 脈寬：1ms 2ms 5ms 10ms 20ms 50ms 100ms 200ms 500ms 1s 2s 5s 10s 20s 50s 100s 200s 500s 1000s 2000s 5000s （1s以上的測(cè)試需要測(cè)試盒使用**散熱器） 測(cè)量范圍：10℃~125℃ 精 度：±0.5℃ 環(huán)境溫度：10℃~35℃ 開機(jī)到測(cè)量M 值，環(huán)境溫度變化應(yīng)在±2℃以內(nèi) 光 照：應(yīng)避免光線直射測(cè)試盒及主機(jī) 熱 源：應(yīng)避免測(cè)試盒及主機(jī)附近有較強(qiáng)熱源 相對(duì)濕度：≤80%(40℃) 大氣壓力：86~106KPa 供電電壓：220V±10% 供電電流：50Hz±5% 額定功率：1.5KW 尺寸：550×535×220mm 總 重：50kg 預(yù)熱時(shí)間：30分鐘