晶體三管正偏二次擊穿、熱阻抗測試系統產品簡介： 晶體三管正偏二次擊穿熱阻抗測試儀可測試**型號中、大功率晶體管的二次擊穿電壓和熱阻抗參數。系統軟件基于微軟視窗系統的操作環境，使您輕松掌握測試。 本系統采用計算機自動控制，為用戶提供友好直觀的操作界面，測試數據處理方便，自動繪制PD（熱阻功率）曲線和二次擊穿曲線，并求兩曲線的交點，在該交點及其附近靠內一點測試器件的熱阻值。 晶體三管正偏二次擊穿、熱阻抗測試系統功能特點： 1.正偏二次擊穿電壓測試可測試NPN型晶體三管，熱阻抗測試可測試**型號中、大功率晶體管測試方法靈活、開放； 2.靈活的M值測試，可控制測試過程中不測試M值而自行輸入M值； 3.可定時測試，穩態熱阻測試也可定特定時間內溫差測試； 4.加熱電源可遙控也可手動； 5.采用**微機控制，基于Windows系統的控制軟件，具有友好的人機交互界面，窗口填表式編程，測試結果以表格及圖形曲線方式顯示，使您輕松掌握測試。 晶體三管正偏二次擊穿、熱阻抗測試系統規格參數： 加熱電壓源：0-300V 負載能力：3.5A，可根據用戶需要進行功率擴展，到10A 加熱電流源IH： 電流量程 分辨力 精度 -250mA-250mA 122uA ±(610uA+2%set) ±(250mA~2.5)A 1.22mA ±(6.1mA+2%set) ±(2.5A~3.5)A 12.2mA ±(61mA+2%set) 測量電流源IM 電流量程：-250mA~250mA 分 辨 力：122uA 精 度：±(244uA+0.5%set) VBE電壓表： 電壓量程 分辨力 精度 -312.5~312.5mV 152.5uV ±(1.22mV+1%Rdg) ±(312.5~625)mV 305uV ±(1.22mV+0.8%Rdg) ±(0.625~1.25)V 0.61mV ±(2.44mV+0.3%Rdg) ±(1.25~2.5)V 1.22mV ±(2.44mV+0.25%Rdg) VCE電壓表 電壓量程 分辨力 精度 -8.125~8.125V 3.97 mV ±(7.94mV+0.25%Rdg) ±(8.125~16.25)V 7.94mV ±(15.88mV+0.25%Rdg) ±(16.25~32.5) V 15.88mV ±(31.76mV+0.25%Rdg) ±(32.5~65) V 31.76mV ±(63.52mV+0.25%Rdg) ±(65~130) V 63.52mV ±(127.04mV+0.25%Rdg) ±(260~300) V 127.04mV ±(254.08mV+0.25%Rdg) 加熱脈沖寬度 脈寬：1ms 2ms 5ms 10ms 20ms 50ms 100ms 200ms 500ms 1s 2s 5s 10s 20s 50s 100s 200s 500s 1000s 2000s 5000s （1s以上的測試需要測試盒使用**散熱器） 測量范圍：10℃~125℃ 精 度：±0.5℃ 環境溫度：10℃~35℃ 開機到測量M 值，環境溫度變化應在±2℃以內 光 照：應避免光線直射測試盒及主機 熱 源：應避免測試盒及主機附近有較強熱源 相對濕度：≤80%(40℃) 大氣壓力：86~106KPa 供電電壓：220V±10% 供電電流：50Hz±5% 額定功率：1.5KW 尺寸：550×535×220mm 總 重：50kg 預熱時間：30分鐘